40纳米相比55纳米工艺，在相同设计下可提升性能或降低功耗。更先进的40纳米制程减小了晶体管尺寸，从而提高集成度，降低发热与能耗，同时可能带来更高的运行频率，但实际性能还取决于架构优化和具体应用场景，综合提升一般在10%-20%左右。
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制造工艺越小整合的晶体数就越多,处理能力就越强大.
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显然，40nm的工艺会比55nm的好一些，一般来讲，前者可以在电压较低的情况下提供较快的运行速度。但是，55nm的工艺目前相当成熟，至少比40nm成熟，稳定性也较高。
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4870快
工艺提升后，会更省电。 -
40纳米与55纳米差距主要在散热和耗电量上`性能相应肯定会高那么一点!
生产制造的工艺尺寸越小，芯片内部栅极结构之间的漏电量就越少，电能利用率就越高，发热量就越小。
同样的，由于晶体管尺寸缩小，相同面积的芯片当中就能集成更多数量的晶体管，芯片的计算性能就能大幅提升。